当前位置:信达科技 >> 可解IC库 >> WINBOND系列单片机解密 >> 浏览文章

IC特征结构开发W949D6KB芯片解密

  本公司长期专注于各类专用芯片解密、MCU解密、FPGA解密、PLD芯片解密、CPLD芯片解密、ARM芯片解密、软件解密、IC解密等较高难度芯片解密服务。
  我们以专业、专注的服务精神,坚持以市场需求为导向,以客户要求为己任,视每位客户为合作伙伴,依靠先进的技术、优秀的团队和现代化的管理,尽可能的为客户提供最新市场资讯和最佳的服务。
  这里,我们挑选了W949D6KB芯片解密作为参考,欲知更多芯片解密详情请联系我们。
  W949D6KB Features
  Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V
  Data width: x16
  Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz
  Standard Self Refresh Mode
  PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
  Programmable output buffer driver strength
  Four internal banks for concurrent operation
  CAS Latency: 2 and 3
  Burst Length: 2、4 、8 and 16
  Operating Temperature Range: Extended (-25°C ~ 85°C), Industrial (-40°C ~ 85°C)
  Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
  有W949D6KB芯片解密需求者请直接与我们联系。